By Ken Willis, Cadence
IBIS-AMI建模
假設我們的 PCIExpress Gen 4 串列鏈路，使用初始的 PCB 走線和過孔模型，其餘的缺失部分用於發射器的IBIS-AMI 模型，「AMI」表示演算法模型介面。正如其名，IBIS-AMI 模型具有以傳統 IBIS (I/O 緩衝區資訊規範) 格式定義的「電路」部分和以 AMI 格式定義的「演算法」部分，兩者都是完整模型所必需的。
該模型的電路或 IBIS 部分用於描述發射器的電壓擺幅、輸出阻抗、寄生效應和上升 / 下降時間特性。這些資訊應該在您 SerDes 發送器的資料表中。假設資料表顯示，以 50ohm 作為參考阻抗，擺幅為 1V，單端 50 歐姆輸出阻抗，0.5pF 範圍內的焊盤電容，以及 20ps 左右的單端上升 / 下降時間。採用一個標準的 IBIS 模型作為開始，是最直接的做法。
圖 1：初步的 IBIS 模型
該演算法（或模型的 AMI 部分）用於描述發射器的均衡行為。在 PCI Express Gen 4 的情況下，這由前向回饋均衡（FFE）或「去加重」組成。FFE 將包含多個「抽頭」，表示產生去加重行為的 main 和 boost 驅動器，boost 轉換位（例如 0 到 1 的轉換）和去加重穩定狀態位元（例如連續的多個 1）。這些抽頭的作用大小通常用係數來表示，表示與主抽頭相比它們的比例係數。
圖 2：含 PCI Express 預設的 FFE 和發射器波形
將上述資訊作為輸入，現在的 IBIS-AMI 模擬工具通常包括直接生成 AMI 模型的功能。同樣，這些資訊通常可以在 SerDes 發射器的資料表中找到。假如您感興趣的發射器使用與 PCIExpress 規範中描述的類似的去加重設置，可以使用如前所述的自動化工具，利用上述的抽頭係數快速直接地生成 AMI 模型。
譯文授權轉載出處
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